Nano-electronics


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Les limites physiques à la nano-électronique (14 mai 2010)

Introduction

Depuis près de 40 ans, les dimensions des composants électroniques ont été divisées par deux tous les six ans. A partir de cette observation empirique, Moore a formulé une prescription pour le futur qui est à la base de la « roadmap » utilisée par l’industrie des semiconducteurs. Elle a servit comme guide à la recherche technologique et à planifier les investissements. Selon cette « loi de Moore », les transistors MOSFET seront à 35 nm en 2010 avant d’atteindre le nanomètre en 2040. Cette loi empirique aura une fin, au moins au niveau de l’atome et probablement bien avant. On examine ici les limitations physiques à l’échelle du nanomètre. Elles définieront en grande partie l’électronique « ultime ».

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